一种半导体工艺方法及半导体结构

本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构的上表面分布有芯片、密封环、划片槽和空白区，空白区不设置金属；半导体结构上设置图形化的光刻胶；对空白区及下方半导体结构等离子体刻蚀形成沟槽；去除光刻胶；对半导体结构下表面减薄至沟槽贯通，使各个芯片及下方半导体结构构成的芯片结构之间分离。本发明通过没有金属的空白区作为切割道进行切割，省去激光切割的步骤，只通过等离子体刻蚀即可分离芯片，简化工艺，提高工艺效率，避免光刻胶在沟槽涂覆不均产生显影不良的问题，提高产品良率；同时通过在形成的沟槽内填充水溶性保护层，使后续减薄产生的残渣不残留在沟槽内，提高沟槽表面洁净度，提高产品良率。