半导体器件及基于其的接合状态检测方法

本申请提供一种半导体器件及基于其的接合状态检测方法，包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底上设置有第一测试结构，第一测试结构包括间隔设置的多个第一金属块，多个第一金属块沿着预定排布路径依次间隔排布；第二半导体衬底，第二半导体衬底上设置有第二测试结构，第一半导体衬底形成有第一测试结构的一侧和第二半导体衬底形成有第二测试结构的一侧相接合，其中，第二测试结构包括多个第二金属块，多个第二金属块中的每个第二金属块分别用于和在预定排布路径上相邻的两个第一金属块部分地交叠接合，通过多个第二金属块能够将多个第一金属块串联为一个测试电阻；当测试电阻的电阻值大于第一预定阈值时，提示接合异常。