一种InGaAsP中微量As组分的确定方法

本发明提供一种InGaAsP中微量As组分的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：针对多个不同y值，在衬底上生长对应的InGaAsP外延层，获得多个外延样品；采用预设腐蚀溶液，获取每一个y对应的腐蚀速率，进行数据拟合，获得腐蚀速率与y之间的对应关系；针对砷化物外延层上厚度小于40 nm且组分y0小于0.02的InGaAsP外延层样品，确定腐蚀速率，根据对应关系确定组分y0。本申请通过建立腐蚀速率与As组分之间的对应关系，针对薄层InGaAsP外延层，仅需测量其腐蚀速率，即可根据对应关系确定其组分y0，实现了对薄层外延层中微量As组分的定量测试。