一种半导体封装结构及其制备方法

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。一种半导体封装结构，包括沿半导体封装结构的厚度方向层叠设置的基板和互连结构，互连结构包括导电层和导热区；导电层包括导电通道、第一绝缘材料，第一绝缘材料在不同的导电通道之间形成电性隔离；构成导热区的材质为金属，且导热区的材质的导热系数为20~400 W/(m·K)；导热区与导电通道电性隔离。该结构具备较好的散热性能。