高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺

本发明涉及一种高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺，高可靠性的肖特基轴向二极管，芯片两侧设有引线，芯片从内到外依次涂覆了四层材料：氮化硅层，含氧多晶硅层，二氧化硅层，聚酰亚胺胶层，其生产工艺具体步骤如下：清洁烘干、芯片的内层防护、芯片的表层PI胶防护、金属化、真空预焊PUMP锡球工艺、焊接、硅白胶保护加固化、环氧树脂包裹。本发明提出了更全面的高可靠性工艺在表面和内部分别做出保护：表面采用PI胶涂层增加芯片表面防护，内部通过采用氮化硅层，含氧多晶硅层，二氧化硅层，具有高可靠性，高效高可靠性，兼容性强，环保的优点。