n型金刚石MOSFET及其制造方法

提供电特性优异的使用了单晶金刚石半导体的n型MOSFET。根据本发明的一个方式，提供一种n型MOSFET101，其具有：至少在表面的一部分具有单晶金刚石层的基板11；与基板11相接且从n型金刚石单晶形成的第1半导体层12；在第1半导体层12上依次层叠有绝缘性膜14及栅电极15的栅电极部；在第1半导体层12上依次层叠有从n型金刚石形成的第2半导体层13及源电极16的源电极部；和在第2半导体层13上形成有漏电极17的漏电极部，第1半导体层13包含浓度为2×10cm以下的n型杂质、且氢含量为与n型杂质同数量级的浓度以下，第1半导体层12中的栅电极部区域的表面被氧封端，第2半导体层13包含浓度为2×10cm以下的n型杂质、且氢含量为2×10cm以下并且与第1半导体层12电接触。