半导体集成电路装置

设置有与多个单元行（CR）相邻且包含电源分接部（TAP）的电源分接行（CRT）。单元（C1）包括在俯视时重叠的晶体管、形成在BM0层的VDD电源布线（21）以及形成在M0层的VSS电源布线（11）。电源分接部（TAP）包括形成在BM0层的VSS电源布线（22）、形成在M0层的VSS电源布线（12）以及将VSS电源布线（12、22）连接起来的连接结构。单元（C1）的X方向尺寸大于形成在BM1层的VSS电源布线（24）的布置间距。