双扩散中断内的正面到背面连接

一种半导体IC器件（50）包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域（52,53）隔开的双扩散中断(DDB)区域（51）内。连接可包括位于正面接触（30）和背面接触（32）之间的伪S/D区域（24）。半导体IC器件可进一步包括第一（20）和/或第二扩散中断隔离轨（22）。连接可位于第一和第二扩散中断隔离轨之间。DDB区域内的连接位置因此增加半导体IC器件的封装密度。此外，连接可减少通过半导体IC器件的布线复杂性和电阻，这可改善半导体IC器件性能。此外，连接可利用与由有源区域内的微器件(例如，晶体管等)使用的结构实例镜像的结构实例(例如，正面接触、背面接触、伪S/D区域等)，这可降低制造复杂性。