用于对晶片进行化学机械抛光的方法和系统

提供了对晶片进行化学机械抛光的方法和系统。该方法包括：向通过配方样本训练的第一模型提供定义配方的配方数据；从第一模型获得第一去除量；向通过配方样本和晶片样本训练的第二模型提供定义晶片的晶片数据和配方数据；从第二模型获得第二去除量；以及基于第一去除量和第二去除量估计由化学机械抛光产生的晶片去除量。