CVD生长型耐高温碳化硅及其制备方法

本发明属于碳化硅制备技术领域，提供了CVD生长型耐高温碳化硅及其制备方法。本申请通过化学气相沉积并协同运用三种自制功能性添加剂，首先是含硼的有机硅聚合物前驱体溶液，由聚碳硅烷与硼烷试剂反应制得；其次是含铝氮笼状结构的有机金属化合物，由胺类与氢化铝试剂反应合成；最后是含钇锆两种金属的有机螯合物混合溶液；在沉积核心阶段，周期性交替引入端乙烯基硼改性聚碳硅烷溶液与铝‑氮杂环立方烷，利用工艺副产物对表面进行原位活化，再引入Y/Zr‑β‑二酮酸酯混合溶液，制备的碳化硅制品微观结构高度有序，兼具高韧性与耐高温能力，提升了材料在极端工况下的综合性能与可靠性。