一种负温度补偿型介质陶瓷芯片电容器材料及其制备方法和应用

本发明公开了一种负温度补偿型介质陶瓷芯片电容器材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域，陶瓷芯片电容器材料包括由主晶相、改性剂和烧结助剂制备而成的材料，所述主晶相包括SrTiO、CaTiO和BaTiO的复合体系，所述复合体系的结构式为SrCaBaTiO，其中0.05＜x＜0.2，0＜y＜0.23。本发明通过在复合体系SrTiO、CaTiO中加入高介电常数的BaTiO进行复合，形成SrTiO‑CaTiO‑BaTiO三元复合体系，通过调节Sr/Ca/Ba的比例调节介电常数和电容温度系数，得到介电常数为1000±100、介质损耗＜22×10，电容温度系数为（‑3300±500）ppm/℃的高介芯片电容用介质陶瓷材料。