改善光刻胶图案底部内切的组合物及光刻工艺

本申请提供一种改善光刻胶图案底部内切的组合物及光刻工艺，该组合物包含80wt％‑95wt％的光刻胶树脂、1wt％‑5wt％的光酸生成剂、0.1wt％‑5wt％的碱性添加剂和余量溶剂，其中，碱性添加剂的分子量为200Da‑5000Da，分解温度高于150℃。碱性添加剂在显影阶段迁移至光刻胶底部，与光酸生成剂释放的过量H发生中和反应，形成pH缓冲层，抑制显影液对光刻胶树脂底部的过度溶解，解决光刻胶显影过程中因酸扩散不均导致的底部内切缺陷问题，同时保持分辨率及显影效率。