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Dossier

基于芯片制备过程的多模态数据的缺陷识别方法及装置

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

谢志文; 张瀚; 陈铭胜; 文国昇; 金从龙; 敖应权

IPC Classification

G06T 7/00 (2017.01)G06V 10/46 (2022.01)G06V 10/75 (2022.01)

本发明公开了一种基于芯片制备过程的多模态数据的缺陷识别方法及装置,该方法包括:在外延生长完成后,获取石墨载具图像,生成石墨载具与晶圆映射图;对待测晶圆执行多模态成像,采集灰阶图像、反射率图像和光致发光强度图像并按像素级同步,分别进行归一化处理,根据归一化结果计算物理归一化因子得到多模态图像;构建晶圆网格空间数据库,将多模态图像、电性测试数据及石墨载具图像中的异常区域存入至晶圆网格空间数据库;基于映射后的多模态图像、电性测试数据及石墨载具图像中的异常区域的多源数据,按照预设规则识别出缺陷类型。本发明解决了现有技术中由于芯片制作过程当中的产生的数据相互独立导致缺陷根因分析效率低的问题。

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