一种双晶体管动态随机存储器

本公开提供一种双晶体管动态随机存储器，包括：写晶体管、读晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线；其中，写晶体管包括源极、栅极和漏极，读晶体管包括源极、栅极和漏极；写晶体管的栅极与写字线连接，写晶体管的漏极与写位线连接，读晶体管的漏极与读字线连接，读晶体管的源极与读位线连接；写晶体管的栅极与写晶体管的源极之间未设置有交叠区域。通过本公开，消除写晶体管的栅极和写晶体管的源极之间的交叠区域，减小写晶体管的电容耦合效应，并减小写晶体管的栅极漏电流，延长动态随机存储器的保持时间。