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Dossier
一种等离子体源功率电路、控制方法及装置
InventionActive
8Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
江苏神州半导体科技股份有限公司
Inventor
朱培文; 潘小刚; 束寅志; 顾小军
IPC Classification
H01J 37/32 (2006.01)H02M 3/06 (2006.01)H02M 1/088 (2006.01)H02M 7/5387 (2007.01)H02M 3/00 (2006.01)
本发明属于等离子体源技术领域,提供了一种等离子体源功率电路、控制方法及装置,功率电路包括准Z源变换器和全桥逆变电路,准Z源变换器连接直流电源,在直通状态和非直通状态之间切换;当准Z源变换器处于直通状态时,全桥逆变电路的负载侧被短接;当准Z源变换器处于非直通状态时,全桥逆变电路的逆变侧等效为恒定电流源,向负载侧提供直流链电压。本发明提供的功率电路,实现了在较宽占空比范围内大幅升压,保证了直流链电压与输出功率在等离子体负载快速变化时的稳定性,兼顾了器件电压应力以及对等离子体产生效率的影响,实现工艺过程中晶圆刻蚀深度均匀、薄膜厚度一致,提高芯片良率。
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