半导体结构及其制备方法、电子设备

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：于衬底上形成堆叠结构；于堆叠结构内形成沿第二方向间隔排列的多个第二隔离层；于堆叠结构内形成多个晶体管结构；于晶体管结构在第三方向上的一侧形成位线结构；于晶体管结构在第三方向上的另一侧形成沿第二方向延伸的第一槽，第一槽包括第一沟槽和第一横向槽，第一沟槽沿第一方向贯穿堆叠结构且与第二隔离层间隔设置，第一横向槽由去除第一沟槽与晶体管结构之间的第一牺牲层形成；于第一横向槽内依次形成第一电极、电容介质层和第二电极，电容介质层包括交替生长的第一铁电材料层和第二铁电材料层。本申请的半导体结构的制备方法可以缩短工艺制程，还可以提高形成的半导体结构的稳定性和可靠性。