磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法

本公开提供了一种磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法，该磁性存储结构包括自旋轨道矩耦合层和多个磁存储元件。其中，各磁存储元件均包括磁性隧道结以及单向导通件，多个磁存储元件中的磁性隧道结并列设置于自旋轨道矩耦合层上，单向导通件连接于磁性隧道结的远离自旋轨道矩耦合层的一侧。该磁性存储结构能够实现通过一个自旋轨道矩耦合层对多个磁性隧道结的存储状态进行操作，以有效提高该磁性存储结构的阵列密度。并且，该磁性存储结构还能够改善潜行电流的问题，提高器件的读写精度。