纵向沟槽型MOSFET器件、制备方法及应用

本发明公开了一种纵向沟槽型MOSFET器件、制备方法及应用。该器件包括：外延结构，具有相背的第一面和第二面，包括沿从第二面指向第一面的方向依次层叠设置的漂移层、沟道层和源区层；第一凹槽，开设在外延结构第一面的源区内，槽底位于漂移层表面或内部，第一凹槽的侧壁为台阶式结构，且台面位于沟道层表面或内部；Mg扩散层，至少覆盖漂移层和沟道层暴露在第一凹槽内的区域上；肖特基接触结构，覆盖在Mg扩散层上，与沟道层形成欧姆接触，与漂移层形成肖特基接触；源极，至少部分设置在第一凹槽内，且覆盖在肖特基接触结构上，并与源区层形成欧姆接触。本发明可降低其在DC‑DC电路中的续流损耗，并提高器件的可靠性。