半导体装置及其制造方法

一种半导体装置包含基板、漂移区、通道区、源极区、栅极电极层以及栅极垫。漂移区位于基板内。通道区位于基板内。源极区位于基板内并相邻于通道区。栅极电极层位于漂移区上方并相邻于通道区与源极区，其中栅极电极层包含元件区、连接区以及栅极接垫区。元件区至少覆盖基板内的通道区。连接区相邻于元件区，其中连接区具有穿透连接区的至少一开口。栅极接垫区使得连接区位于元件区和栅极接垫区之间。栅极垫接触栅极电极层的栅极接垫区，其中栅极垫与栅极电极层的连接区的至少一开口侧向分离。由于在栅极电极层的连接区具有穿透栅极电极层的开口，因此可以减小栅极‑漏极间电容(C)的大小，进而降低半导体装置切换时的能耗，提升切换时的速度。