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Dossier

太阳电池及其制备方法

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

张帅; 秦增锋

IPC Classification

H10F 10/17 (2025.01)H10F 77/122 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)

本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底,以及层叠设置于衬底上的第一本征硅材料层、N型掺杂硅材料层以及第一透明导电层,第一本征硅材料层设置于N型掺杂硅材料层和衬底之间,N型掺杂硅材料层设置于第一本征硅材料层和第一透明导电层之间。N型掺杂硅材料层的材料包括N型掺杂的含氢纳米晶碳氧化硅材料。N型掺杂硅材料层包括层叠设置的第一N型掺杂硅子层、第二N型掺杂硅子层以及第三N型掺杂硅子层,第一N型掺杂硅子层与第一本征硅材料层接触,第三N型掺杂硅子层与第一透明导电层接触。第一N型掺杂硅子层、第二N型掺杂硅子层以及第三N型掺杂硅子层的晶化率依次降低。

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