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Dossier

具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

文成烈; 姜熙秀; 李相柱

IPC Classification

H10F 39/18 (2025.01)H10D 84/85 (2025.01)H10D 88/00 (2025.01)H10D 1/68 (2025.01)

本公开涉及一种具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置。本公开描述一种包括安置在半导体衬底之中或之上的多个鳍式电容器的堆叠式半导体装置。所述多个鳍式电容器被布置为形成鳍式电容器阵列。所述多个鳍式电容器中所包含的鳍式电容器包括第一电极、第二电极及绝缘材料。所述第一电极包含第一平面部分及从所述第一平面部分延伸的多个第一鳍部。所述第二电极包含第二平面部分及从所述第二平面部分延伸的多个第二鳍部。所述多个第一鳍部与所述多个第二鳍部嵌套,使得所述多个第一鳍部及所述多个第二鳍部两者安置在所述第一平面部分与所述第二平面部分之间。所述绝缘材料安置在所述多个第一鳍部与所述多个第二鳍部之间。

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