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一种基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器及其制备方法
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
方铉; 潘俊杰; 张鼎铉; 马守均; 王登魁; 王勇; 王飞; 房丹; 王东博; 赵鸿滨; 朱洪波; 翟英娇; 石凯熙; 李金华; 王晓华
IPC Classification
H10F 71/10 (2025.01)C23C 14/06 (2006.01)C23C 14/58 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/12 (2025.01)H10F 77/166 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 30/21 (2025.01)
本申请提供一种基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器及其制备方法,涉及光电探测器领域。快速响应短波红外光电探测器的制备方法包括:采用磁控溅射沉积技术,在基底的表面沉积非晶BiM层,得到复合结构,M为Se或Te;将复合结构置于管式炉中,在管式炉中加M粉,使M粉位于非晶BiM层远离基底的一侧,进行退火处理,经过退火处理的非晶BiM层为光敏层;在光敏层上制备叉指电极,基于光敏层结晶度的转变引发了拓扑相变,得到基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器。本申请制备的短波红外光电探测器能够在保持高速响应的同时兼顾高光吸收率,此外,本申请制备的光电探测器还具有器件结构简单的优点。
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