一种RGB三色偏振Micro-LED显示器件及其制备方法

本发明公开了一种RGB三色偏振Micro‑LED显示器件及其制备方法，其Micro‑LED显示器件包括CMOS晶圆、红光晶圆、绿光晶圆和蓝光晶圆，红光晶圆包括第一衬底和红光外延层，绿光晶圆包括第二衬底和绿光外延层，蓝光晶圆包括第三衬底和蓝光外延层，CMOS晶圆、第一衬底、第二衬底和第三衬底由下至上依次布置，在第二衬底上设有与各红光外延层对应布置的第二窗口，在第三衬底上设有与红光外延层和绿光外延层均对应布置的第三窗口，各外延层从下至上均依次包括n‑GaN层、多量子阱MQWs层和p‑GaN层，所述p‑GaN层、多量子阱MQWs层与n‑GaN层上部组成Micro‑LED子像素台面，该Micro‑LED子像素台面内部由若干平行布置的条形孔分隔成按规律排列的纳米墙。本发明可直接发出线偏振光，降低成本和集成体积，整体良率高。