一种Micro-LED器件的钝化方法

本发明公开了一种Micro‑LED器件的钝化方法，包括：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包括驱动基板和阵列分布于驱动基板上的发光单元，发光单元之间形成隔离沟槽；在Micro‑LED器件上沉积第一钝化层，第一钝化层覆盖发光单元的上表面和侧壁并形成连续表面；第一钝化层的材料为无机绝缘材料；在第一钝化层的表面旋涂第二钝化层，第二钝化层填充隔离沟槽并形成连续平整表面；固化第二钝化层；第二钝化层的材料为含有机物的旋涂绝缘材料；采用刻蚀速率满足对第一钝化层的刻蚀速率大于对第二钝化层的刻蚀速率的干法刻蚀工艺，整面回刻所述第二钝化层和第一钝化层，直至裸露出发光单元的上表面。本发明解决了现有技术中Micro‑LED器件因深宽比增大而导致的钝化层制备工艺难题。