一种用于MicroLED的纳米晶色转换层及其制备方法

本发明涉及MicroLED显示技术领域，具体公开了一种用于MicroLED的纳米晶色转换层及其制备方法。通过将钙钛矿前驱体与含P=O/S=O/C=O基团的有机基质材料共蒸发，在150‑400℃低温下形成纳米晶色转换层。采用磁性金属掩模并控制掩模与基板间距≤0.5 mm，实现高分辨率、图案化的纳米晶色转换层。蒸发过程中维持5×10至5×10Pa的动态真空度，沉积速率0.01‑5 nm/s，所得色转换层的厚度为500‑3000 nm，界面粗糙度Ra＜10 nm。本发明通过基质材料原位改善纳米晶光学性质，使荧光量子产率达85%以上，色域>120%NTSC；优化掩模设计与工艺参数，避免堵塞并提升图案精度；全干法工艺兼容量产，良率＞95%。该色转换层解决了MicroLED全彩化中的效率与稳定性难题。