DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法

本发明公开了一种DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法，在半导体衬底中刻蚀形成深沟槽，淀积第一电极层、氧化硅层以及LPCVD多晶硅层；涂布光刻胶并图案化，对所述的LPCVD多晶硅层进行刻蚀以及过刻蚀；进行一次Ar及O氛围下的in‑situ聚合物轰击步骤；进行ASH机台工艺及湿法清洗步骤，去除光刻胶，清洗所述半导体衬底使其表面恢复洁净。本发明方法在使用高选择比HBr对LPCVD多晶硅刻蚀之后，增加一步Ar/O2氛围的in‑situ聚合物轰击步骤，使聚合物疏松/碎片化，使大分子的聚合物生成易挥发的小分子聚合物，避免了大分子聚合物在ASH机台受高温硬化；同时Ar惰性气体对底层氧化硅膜选择比高，不易造成损伤。经过轰击的PR表面变得粗糙，表面积增大，提升后续去胶步骤的去胶效率。