表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用

本发明涉及一种表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用，所述表面处理方法包括如下步骤：采用酸溶液对碳化硅晶圆进行预处理，使预处理后的碳化硅晶圆表面粗糙度为Ra，单位为nm；采用含氟硅烷溶液对预处理后的碳化硅晶圆进行冲洗反应，其中，含氟硅烷溶液的流量Q=‑4.5Ra+16.2Ra+n，n=‑1.7至‑1.5，单位为mL/min，拟合优度≥0.95。本发明所述的表面处理方法能够有效阻隔金属离子吸附，且不影响碳化硅晶圆原有性能，制得的表面改性的碳化硅晶圆用于制备半导体器件，有利于提升半导体器件的可靠性和稳定性，延长使用寿命。