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Dossier
取环的工艺方法
InventionActive
8Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
华虹半导体(无锡)有限公司; 华虹半导体制造(无锡)有限公司
Inventor
姚艳花; 蔡永慧; 张磊; 谭秀文
IPC Classification
H10P 54/00 (2026.01)H10P 54/92 (2026.01)H10P 54/94 (2026.01)H10P 52/00 (2026.01)
本发明公开了一种取环的工艺方法,对于已经完成减薄工艺的Taiko晶圆,在对晶圆进行环切时,设定入刀参数,切割步骤不少于两步的分步入刀环切;首先平转时设定第一次切割,第一次的入刀深度,实现膜与Ring环预分离;再设定第二次切割,第二次的入刀深度,随着晶圆旋转上升时慢慢递进,减小刀对膜的作用力;所述的第一次入刀深度小于第二次入刀深度。本发明所述的优化取环的工艺方法,根据Ring环特性,分阶段选用更合适的入刀深度,平转时设定浅入刀深度,实现膜与Ring环预分离,再次入刀深度随着晶圆旋转上升时慢慢递进,减小刀对膜的作用力,促使Ring环更顺利掉落。
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