一种晶圆处理装置

本申请公开了一种晶圆处理装置，属于半导体制造技术领域，包括基座、加热组件和反应空间；基座具有第一表面，加热组件包括加热件，加热件具有第二表面，第二表面与第一表面相对设置；反应空间位于基座和加热件之间，为反应气体提供流通通道。本申请中，基座具有沿第一方向延伸设置的第一中心轴线，基座可沿第一中心轴线转动；加热件具有沿第一方向延伸设置的第二中心线，加热件可沿第二中心轴线转动；第一中心轴线落后于第二中心轴线，使得基座在带动晶圆转动时，提高晶圆的受热温度均匀性。