一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质

本发明公开了一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质，其属于半导体制造技术领域，所述晶圆状态监测方法包括以下步骤：S1：获取晶圆处于工艺位置时的实时辐射率数据；S2：根据步骤S1中获取的实时辐射率数据计算得到辐射率变化率；S3：将步骤S2中获取的辐射率变化率与预设的第一阈值进行比较，得到晶圆状态，当所述晶圆状态为异常时，停止工艺发出警报。本发明通过获取辐射率计算辐射率变化率，通过辐射率变化率和第一阈值对晶圆状态进行监测，通过辐射率变化率捕捉到轻微跳片引起的瞬时信号突变，在翘曲发生初期即进行干预报警，防止事故扩大，从而提高晶圆质量。