一种用于红外探测器芯片的监测方法

本申请公开了一种用于红外探测器芯片的监测方法，涉及红外探测器、半导体技术，包括：在刻蚀制备红外探测器芯片光敏芯片的台面结构过程中，在光敏芯片区域之外的区域刻蚀监控结构；测量所刻蚀的光敏芯片区域的台面结构以及各深沟槽结构在不同线宽处的刻蚀深度，以基于测量获得的刻蚀深度形成数据组；在混成芯片进入背减薄工艺；在背减薄工艺过程中，根据减薄露出的深沟槽结构与所形成的数据组进行对比，以判断背减薄工艺是否存在异常。本申请通过特定标记，监控芯片制备的焦平面制备工艺环节、混成芯片背减薄剩余厚度与工艺质量工艺环节，降低工艺监控难度，提高监控可操作性，解决台面制备深度监控问题。