一种半导体器件多层互连结构制备方法

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件多层互连结构制备方法，包括：步骤1：提供具有下层互连结构的半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底表面沉积复合阻挡层；步骤3：在所述复合阻挡层上沉积铜种子层；步骤4：在所述铜种子层上电镀铜；步骤5：对电镀铜后的结构进行化学机械抛光；步骤6：在化学机械抛光后的结构上沉积介电层；步骤7：重复步骤2至步骤6，以形成多层互连结构，每一层的参数根据层数进行调整。通过优化阻挡层材料的选择、改进化学机械抛光工艺、精确控制介电层的沉积过程及多层结构的参数调节，显著提高了半导体器件多层互连结构的可靠性和性能。