雪崩光电二极管器件

本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（200）。APD子组件包括：衬底（201）；形成在衬底（201）上的n‑型接触层（203）；p‑型接触层（202）；以及包含锑的雪崩层（206）。雪崩层（206）被设置在n‑型接触层（203）和p‑型接触层（203）之间。APD子组件具有包括第一级（207）和第二级（208）的多级结构。第一级（207）包括p‑型接触层（202），第二级（208）包括雪崩层（206）。第一级（207）具有比第二级（208）更小的横截面面积，该横截面面积垂直于从衬底（201）到p‑型接触层（202）的方向。