硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备

本发明提供了一种硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备，属于半导体制造技术领域。硅片切割线痕判定方法，包括：对切割后的硅片的表面形貌进行测量，获取所述硅片的目标直径上N个位置点相对于基准平面的高度数据，其中，N为大于1的整数，所述目标直径与切割方向平行；根据所述高度数据分别计算每个所述位置点邻域内的轮廓高度波动标准差；选取N个位置点的轮廓高度波动标准差中的最大标准差；将所述最大标准差与多个检测阈值进行比较，确定所述硅片的切割线痕等级。本发明的技术方案能够准确判断硅片的切割线痕等级。