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Dossier
一种大面积硅纳米图案结构及其制备方法
InventionActive
10Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
杨康
IPC Classification
B81C 1/00 (2006.01)B81B 1/00 (2006.01)B81B 7/00 (2006.01)
本发明提供了一种大面积硅纳米图案结构及其制备方法,上述制备方法包括:首先,在衬底表面依次形成牺牲层和光刻胶层;其次,对光刻胶层进行图案化处理,形成多个呈阵列排布的第一微结构;再次,以第一微结构为掩膜对牺牲层进行刻蚀,使牺牲层形成多个与第一微结构一一对应的第二微结构;再次,在衬底表面和多个第一微结构上形成金属层;再次,通过剥离工艺同步去除第二微结构、第一微结构及位于第一微结构上的部分金属层,剩余金属层形成多个呈阵列排布的第三微结构;再次,以第三微结构为模板对衬底进行金属辅助化学刻蚀,使第三微结构完全嵌入衬底内部;最后,去除嵌入衬底内部的第三微结构,在衬底表面形成大面积硅纳米图案结构。
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