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기록
一种低膨胀低内阻CVD硅碳复合材料及其制备方法和应用
발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郑军华
IPC 분류
C01B 32/318 (2017.01)C01B 32/33 (2017.01)C01B 32/348 (2017.01)C01B 33/029 (2006.01)C01B 32/15 (2017.01)C01B 21/068 (2006.01)B82Y 30/00 (2011.01)C23C 16/24 (2006.01)C23C 16/26 (2006.01)C23C 16/44 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)C23C 16/28 (2006.01)G01L 1/00 (2006.01)G01L 19/00 (2006.01)H01M 10/0525 (2010.01)H01M 4/36 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/62 (2006.01)B01J 21/18 (2006.01)B01J 32/00 (2006.01)B01J 35/30 (2024.01)H01G 11/24 (2013.01)H01G 11/30 (2013.01)H01G 11/32 (2013.01)H01G 11/34 (2013.01)
本发明公开了一种低膨胀低内阻CVD硅碳复合材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括：S1.将氧交联沥青与芳香族硼源混合交联并破碎；S2.将交联颗粒在催化性酸液中分散并碳化；S3.将碳化骨架与活化剂进行一体化碳化‑活化得到多孔碳；S4.在多孔碳上先低温沉积硅，再升温进行硼掺杂；S5.进行碳层包覆得最终产品。本发明通过氧‑硼协同交联与低温两步CVD工艺，在分子层面调控材料结构，制得的硅碳复合材料具有独特的“多孔碳‑硅‑碳包覆层”复合结构，兼具低体积膨胀率(<18％)、低电阻率和高克容量特性，同时展现优异柔韧性，弯曲半径<5.5mm，适用于动力电池、柔性可穿戴设备、超级电容器等多个领域。