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Dossier

一种高纯度一氧化硅的制备方法

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10Claims · 1 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

侯晓东; 张爱琴; 王仙萌; 冯娟; 马晶; 刁金香

IPC Classification

C01B 33/113 (2006.01)C01B 33/18 (2006.01)

本发明公开了一种高纯度一氧化硅的制备方法,属于无机非金属材料制备技术领域。该方法以高纯硅粉为原料,采用硅酸‑正硅酸乙酯混合包覆剂,通过乙酸催化成胶、硫酸调节致密度的分步调控工艺,结合分段式煅烧与后处理纯化,实现高纯度一氧化硅的高效制备。本发明通过硅粉表面羟基化预处理、双重硅源协同包覆及溶胶‑凝胶过程精准调控,解决了传统包覆工艺中包覆层不均匀、致密度难控、产物纯度与产率低的问题。最终制备的一氧化硅产率≥85%、纯度≥99.99%、金属杂质总含量≤50ppm、非金属杂质≤50ppm,可满足电子器件、新能源等领域的高端应用需求。

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