一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法

本发明公开了一种低电场下高储能密度的La/Ce/Ni/Ga/Zr掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(BiNa)(BaSr)TiO陶瓷材料A位的Bi、Na、Ba、Sr离子，采用具有12配位的La、Ce组成复合高价离子[LaCe]进行掺杂取代，针对B位的Ti离子，采用具有6配位的Ni、Ga、Zr组成复合低价离子[NiGaZr]对其进行掺杂取代；通过上述复合掺杂改性，在保持高、降低、提高单位电场有效储能密度的同时，提升介电温度稳定性，从而提供一种新型的、低电场下综合电性能优良的、环境友好型储能陶瓷材料。