一种氮化钛薄膜的制备方法及一种半导体器件

本申请公开了一种氮化钛薄膜的制备方法及一种半导体器件，该方法中，首先，基于目标致密度以及目标电阻率，调节辅助离子源的能量以及惰性气体与反应气体的气体流量比例；继而，向溅射离子源通入惰性气体，向辅助离子源通入反应气体；而后，溅射离子源电离惰性气体，形成溅射离子束；反应气体在离化区域内被辅助离子源电离，形成等离子体；接着，溅射离子束轰击靶材表面，产生溅射粒子；等离子体通过栅网拉束，形成反应离子束；最后，溅射粒子与反应离子束在反应区域发生化学反应，在基底表面沉积形成氮化钛薄膜。由此，无需高温条件即可得到元素分布均匀性较好、电阻率低且耐刻蚀的氮化钛薄膜。