一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备及方法

本发明公开了一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备及方法，解决了现有技术中CVD气相沉积炉无法保证进入反应炉内气体的压力和温度的问题，具有提高镀层质量的有益效果，具体方案如下：一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备，包括依次连接的分段往复增压机构、储气加热机构和CVD反应炉，分段往复增压机构包括气体增压室，气体增压室分隔成多室，气体增压室的各室分别设置推板，推板与推动组件连接，推板周侧与气体增压室密闭接触，推板与气体增压室的顶部通过弹性件连接，气体增压室顶板、推板分别与储气源连通，气体增压室底板、推板分别与储气加热机构连通，储气加热机构的腔体与气体增压室的各室一一对应。