电镀方法

本申请提供了一种电镀方法，属于半导体技术领域，包括提供晶圆；提供反应池，其第一深度部分中的第一反应溶液中的镀层金属的含量大于第二深度部分中的第二反应溶液中的镀层金属的含量，先将晶圆置于镀层金属含量较小的第二反应溶液内进行电镀工艺，此时电镀工艺的填孔能力较好，第一金属镀层能够较好的填充孔洞，然后将晶圆置于镀层金属含量较大的第一反应溶液内进行电镀工艺，此时电镀工艺的速度较快，第二金属镀层能够快速的形成，提高效率，因此本申请能够在不损失效率的情况下避免电镀的镀层产生凹坑缺陷，提高了电镀可靠性和质量。