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Dossier
一种助熔剂法氮化镓单晶生长用籽晶接种监测装置
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
马明; 李振荣; 杨琛; 黄戈萌
IPC Classification
C30B 9/12 (2006.01)C30B 29/40 (2006.01)
本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种助熔剂法氮化镓单晶生长用籽晶接种监测装置。包括反应釜体,顶部设有可上下移动的封装壳层,封装壳层内放置有凸型籽晶,凸型籽晶的凸起部分穿出封装壳层并朝向单晶生长熔液,靠近凸起部分的凹面覆盖有共面电极,共面电极位于封装壳层内,共面电极用于测量凸型籽晶的接种区和单晶生长熔液接触过程中电容变化,定位凸型籽晶在熔液表面的接种位置,以及用于测量籽晶接种后表面生长氮化镓单晶的电容变化,监测氮化镓单晶的结晶过程。本发明可以解决高温高压密闭反应釜体内难以观察顶部籽晶接种过程的问题,精确控制籽晶接种位置,并对接种过程中的晶体外延变化进行监测,进而实现高质量的晶体生长。
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