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Dossier
外延片生长的旋转石墨基座
InventionActive
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8Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
广东天域半导体股份有限公司
Inventor
冯禹; 鲍勇年; 丁雄傑; 韩景瑞; 姚晓杰; 鲁青; 张铭; 刘福成; 李锡光
IPC Classification
C30B 25/12 (2006.01)C30B 23/02 (2006.01)C23C 14/50 (2006.01)C23C 16/458 (2006.01)
本申请公开了一种外延片生长的旋转石墨基座,包括底座,底座包括相对设置的第一面和第二面,第二面背向第一面延伸出第一台面,第一台面的背向第二面的一面面向第二面凹陷形成凹槽,凹槽用于生长外延片,第一面的中心开设有背向第二面贯穿的定位槽,定位槽被配置为插接在一个旋转轴上;第一面开设有背向第二面贯穿的若干个气道,气道的一端位于第一面的边沿,气道的另一端背向第一面的边沿延伸,各气道的深度等于气道标准深度加气道加深预设值,各气道的开口弧度值至少根据气道标准开口弧度、气道的个数和气道的长度得到,各气道的开口弧度值大于气道标准开口弧度。本申请可以在旋转石墨基座进行快速旋转的时候减少输入的气体的溢出。
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