一种基于RHEED斑点强度实时反馈的分子束外延碲镉汞薄膜生长控制方法

本发明公开一种基于RHEED斑点强度实时反馈的分子束外延碲镉汞薄膜生长控制方法，包括：选取特定晶向反射斑点并监控其强度；设定生长参数，基于Hg/Te比例确定初始生长温度、温度区间及调整步长；在初始温度生长获取RHEED斑点强度初始值；经表面重置后，按步长调整温度二次生长，获取并修正强度；对比初始值与修正后强度，判断温度调整方向，沿正确方向重复表面重置、生长、强度获取及修正步骤。其在未知生长条件（任意Hg/Te）下，在同一个衬底上通过多次“表面重置”后使用不同生长温度进行多次生长，根据RHEED斑点强度的反馈确定最佳生长温度。用于指导碲镉汞薄膜制备，提升材料制备重复性、工艺调整可控性、工艺在设备间的迁移性。