碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件

本申请提供了一种碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件。所述制备方法包括如下步骤：选择原材料；对材料进行β射线辐照处理；对材料进行退火处理。本申请碳化硅衬底的制备方法包括β射线辐照处理，β射线辐照处理能够提升载流子的迁移率，使得碳化硅材料的导电性得到显著提升，并具有低成本、高效率以及均匀掺杂等优点。本申请碳化硅衬底的制备方法不需要复杂的高温退火等后续处理工艺，进一步降低了制备成本，使碳化硅衬底的大规模应用更具经济可行性。