绝缘介质电容检测结构及方法

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种绝缘介质电容检测结构及方法,其包括衬底、形成于衬底上的共地电极和待测电容，所述待测电容位于围合结构的共地电极内，待测电容包括层叠形成的极板一、待测绝缘介质层和极板二；所述极板一边缘横向延伸形成与GSG探针的第一信号针脚对应接触的第一引出部；所述极板二边缘横向延伸形成与GSG探针的第二信号针脚对应接触的第二引出部；所述共地电极上形成有与GSG探针的接地针脚对应接触的第三引出部。其能够保证电容测量准确性，实现小尺寸、低数量级的绝缘介质电容检测结构的电容值测量。