半导体器件及其制作方法

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；位于所述半导体层上且间隔设置的第一光波导和第二光波导；加热结构，位于所述第一光波导之上且覆盖所述第一光波导的至少部分区域；第一沟槽，位于所述第一光波导与所述第二光波导之间；所述第一沟槽沿垂直所述半导体层的方向延伸，所述第一沟槽显露所述半导体层；导热结构，位于所述第一光波导与所述第二光波导之间；所述导热结构沿垂直所述半导体层的方向延伸，所述导热结构与所述半导体层接触。