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案件記録

掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法

発明有効
10請求項 · 4 独立
§ Ⅰ

案件概要

IPC分類

G03F 1/76 (2012.01)G03F 1/38 (2012.01)H10P 76/40 (2026.01)

本申请提供了一种掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法。该掩膜图案的生成方法包括:获取包括切割道区域的掩膜图案模版和包括图形图案的参考标记图案;参考标记图案被划分为多个参考标记区域;利用辅助图形提取位于每个参考标记区域内的部分图形图案的轮廓,得到多个辅助标记图案,将其布局于切割道区域内;分别截取位于每个参考标记区域内的部分图形图案,得到多个局部标记图案,将其布局于对应的辅助标记图案在切割道区域内的位置,得到目标掩膜图案,使得被转移至半导体结构的多个局部标记图案在半导体结构的切割道内组合成与图形图案相匹配的对位标记图案。通过本申请实施例,提升了封装工艺处理过程中的对位精度。

外部リソース