一种半导体结构的缺陷分析方法

本发明提供了一种半导体结构的缺陷分析方法，包括：首先对半导体器件进行建模，得到对应的半导体器件模型；并对半导体器件模型施加周期性的脉冲电压，以得到所述半导体器件模型的衬底电流。接着，基于采集到的衬底电流数据，训练初始前馈神经网络，以得到最终前馈神经网络。最后，基于所述最终前馈神经网络对与建模器件相同类型的不同实际半导体器件的衬底电流数据进行分析，并输出对应半导体器件的缺陷特性，从而无需人工对采集到的衬底电流数据进行分析，进而在低成本的基础上大大提高半导体器件的缺陷采集效率。