存储器操作方法

本发明提供一种存储器操作方法，应用于包括多个分离栅浮栅器件的存储器阵列。该方法包括：对与待编程的目标存储部分连接的目标位线施加第一电压；对与目标字线上待进行编程抑制的至少第一和第二抑制存储部分连接的第一和第二位线，分别施加电平互不相同的第二电压和第三电压。本申请通过对不同位置的抑制位线施加分级的抑制电压，能够根据干扰强度进行精确抑制，有效降低了编程干扰，提高了编程精度和数据可靠性，并有助于降低操作功耗和器件应力。